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‘亚博买球首选’如何在电浆蚀刻制程中控制晶圆的制程均匀度?

发布时间:2021-03-25 01:19
本文摘要:为了达成协议的成品率和零件性能市场的需求,控制过程的变化,取得可重复的平稳结果是最重要的。随着技术节点的进展和设计规则的转变行业需要更严格的过程控制。许多因素不会导致变异,所有情况一般可以概括为晶粒中、晶圆、从晶圆到晶圆、从空腔到空腔。 一般来说,晶片变异不能超过整体变异的三分之一。例如,在14纳米节点上,门钥匙尺寸(CD )的允许变异值超过2.4纳米,其中晶片变异不能允许约0.84纳米。在5纳米节点上,晶片的允许变异值超过0.5纳米,这等于2到3个硅原子的大小。

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为了达成协议的成品率和零件性能市场的需求,控制过程的变化,取得可重复的平稳结果是最重要的。随着技术节点的进展和设计规则的转变行业需要更严格的过程控制。许多因素不会导致变异,所有情况一般可以概括为晶粒中、晶圆、从晶圆到晶圆、从空腔到空腔。

一般来说,晶片变异不能超过整体变异的三分之一。例如,在14纳米节点上,门钥匙尺寸(CD )的允许变异值超过2.4纳米,其中晶片变异不能允许约0.84纳米。在5纳米节点上,晶片的允许变异值超过0.5纳米,这等于2到3个硅原子的大小。

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本文讨论了在等离子体转印过程中如何控制晶片的工艺均匀度、该技术在行业中的进化和其他最重要的议题。达成协议均匀度是播放性转印腔设计的再进化在转印过程中控制均匀度的主要课题,在于等离子体构成粒子的复杂性。要超过令人失望的转录结果(即转录具有不同自由选择比的薄膜材料的结构截面),必须管理不同的离子和中子比例(例如Ar、C4F8、C4F6、o、O2 )。由于完全相同的等离子体不会生成两种粒子,因此离子对中子的比较数密切相关。

因此,参数的影响一般不用于控制等离子体供给源的电力和转印腔室的压力等等离子体,而是相互关联的。单晶晶片的工艺自1980年代初期开始使用以来,转印室被设计为产生接近晶片各方位的等离子体条件,超过均匀分布的工艺结果。但是,由于晶圆边缘(图1 )没有固有的电化学不连续性,不影响晶圆的均匀度,因此实现该目标并不特别困难。

由于从偏压面向短路或浮起面迁移,在晶片边缘产生电压梯度。图1的晶片边缘的不连续性不产生梯度,影响晶片表面的均匀度,在晶片边缘不产生根本的影响。

由此等离子体鞘层不会在晶片边缘倾斜,离子与晶片的碰撞轨迹发生变化。潜在的化学不连续性也是一定程度的情况,不同的物质不会使晶片产生浓度梯度。这种梯度是由各种现象引起的,反应物的消耗变异、作为中心副产物的废气亲率、转印腔和晶片的温差等化学物质的吸收率不会不同。

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近年来,转印腔的设计为了提高径向对称性有了很多转变(图2A )。例如,电容式耦合等离子体(CCP )转印室的主要硬件参数是阴极和阳极之间的间隙。过去,这个间隙的设计用于对特定的电力、压力和气体化学混合物获得最均匀分布的转录结果。

在感应式耦合等离子体(ICP )转印腔中,气体流动的方位是最重要的设计特性,不会因工艺而异。在铝转印腔中,反应物气体是从晶片上的莲头输送来的。在硅转印中,反应物气体在晶片周围流动,但后来气体意味着在晶片的中央上方流动。图2过程的不均匀度可以分为径向和非径向(a )。

在显示整体不均匀性的晶片贴图中,去除径向对称性可以找到更困难的径向不均匀性(b )。


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